莫伦科夫：如何助力高通成最大芯片商 如何守住中国市场？

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目前材料研究及表征手段可谓是五花八门，何何在此小编仅仅总结了部分常见的锂电等储能材料的机理研究方法。研究者发现当材料中引入硒掺杂时，助力中国锂硫电池在放电的过程中长链多硫化物的生成量明显减少，助力中国从而有效地抑制了多硫化物的穿梭效应，提高了库伦效率和容量保持率，为锂硫电池的机理研究及其实用化开辟了新的途径。

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目前，片商陈忠伟课题组在对锂硫电池的研究中取得了突破性的进展，片商研究人员使用原位XRD技术对小分子蒽醌化合物作为锂硫电池正极的充放电过程进行表征并解释了其反应机理（NATURECOMMUN.,2018,9,705），如图二所示。守住市场本文由材料人专栏科技顾问罗博士供稿。

该研究工作利用了XANES等技术分析了富含缺陷的四氧化三钴的化学环境，莫伦从而证明了其中氧缺陷的存在及其相对含量。

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到目前为止，高通只有大量掺杂Ti才能成功地将窗口扩展至4.95–2.0V，高通从而得到双倍容量的亚微米尺寸的LiMn1.0Ni0.5Ti0.5O4正极材料，但极大的容量衰减（206.5mAhg-1）和一般的容量保持率（循环50次之后在较高电压（4.95–3.0V）和较低电压（3.0–2.5V）的保持率为70%和90%）限制了其进一步发展。成最上述发现为通过抑制CJTD而具有更高容量和更长寿命的基于LMO的LIBs的未来发展提供了有用的指导。

【图文导读】图一、大芯材料结构表征（a）制备的普通LiMn2O4和LMO-CD的XRD图谱。有趣的是，片商由于抑制了CJTD，片商尖晶石型LMO中的原始八面体空位被激活，可以用作额外的Li+存储位点，从而在微米尺寸LMO中获得双倍容量并具有良好的可逆循环稳定性